DRAM

使用栅极电容作为存储元。主要应用于主存中。

由于栅极电容的特定,DRAM 芯片需要每隔一个周期进行刷新操作(2 ms),每次刷新一行存储单元:DRAM 的刷新

为了减少地址线数量和芯片引脚,所有的 DRAM,有地址线复用技术

注意

所有的 DRAM 都采用了 [[地址线复用技术]]。

有许多中 DRAM: